В Томском госуниверситете прошла научно-практическая конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения»

Нанотехнологии оперируют величинами порядка нанометра – ничтожно малой величины, одной миллиардной метра. Однако вещества, созданные на основе объектов таких размеров, уже сегодня используются практически во всех сферах жизни – от повседневной жизни до космических исследований. А будущее человека не представляется без них – через 10-15 лет почти каждый прибор будет построен с использованием полупроводниковых нанотехнологий.
Чтобы обсудить перспективы развития этого направления, в ТГУ собрались специалисты со всех концов России. Объединил их арсенид галлия – ключевой материал полупроводниковой электроники. Именно ему и технологиям работы с ним была посвящена 9-я международная конференция «GaAs-2006». Научный форум собрал более 120 участников, в том числе почти 50 иногородних, среди которых были представители Института физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск) – академик РАН Александр Асеев и член-корр. РАН Игорь Неизвестный, а также представители Международного научно-технического центра (г. Москва).
Были представлены самые последние достижения в области полупроводниковой наноэлектроники, обсуждались вопросы получения монокристаллического арсенида галлия и родственных соединений, обсуждалось изготовление приборов на их основе. Тематика докладов относится к приоритетным направлениям науки и техники и является особенно актуальной в контексте создания в Томске технико-внедренческой зоны. Уже сегодня несколько разработок ученых Томского госуниверситета готовятся войти в ТВЗ.
История развития полупроводников в Томске началась в 50-х годах прошлого века. Томские исследователи взялись за арсенид галлия – новый, тогда еще совершенно неизученный материал. Тогда же прошли и первые научные конференции по этой проблематике, был открыт НИИ полупроводниковых приборов.
В современных условиях высокий уровень работ и имевшийся научно-технический задел позволили найти практическое применение научным результатам. Разработки газовых сенсоров, детекторов ионизирующего излучения, нелинейной оптики на основе полупроводников, фотоприемников ИК-диапазона имеют большой успех и поддержаны многочисленными грантами, программами и заказчиками. В Томском госуниверситете и его институтах развивается научная школа «Физика сложных полупроводниковых соединений и структур».
В 2006 году ТГУ выиграл конкурс на выполнение Инновационной образовательной программы, одним из основных направлений которой являются нанотехнологии и материалы. В рамках программы будет приобретено уникальное оборудование, которое несомненно даст новые возможности для исследований в этой области.

Яна МЕНДЕЛЬБАУМ
Фото Павла МАРШАЛОВА