| последний номер | первая полоса | поиск в архиве  


№2332, 11.10.2002


Премия Президента России


Стипендии от мэра


Почти «Силиконовая долина»


МФУ принимает гостей


Такой важный элемент


Объявление


Исследуя древнейшие эпохи


Как жили в средние века


«Канунова – это наше все!»


Из истории переписей


Ваше мнение?


Воспользуйся своей свободой


Она была первой


Новая база данных - новые возможности!


Физкультпривет, первокурсники!


Спортивные новости


Школа жизни - стройотряд


Радиофобия и твоя безопасность


Наука важнее нефти


Памяти ученого...


Новый сезон






Такой важный элемент

Есть конференции, которые имеют достаточно длинную историю. 8-я Всероссийская конференция “Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V” относится как раз к таким.

Первая конференция по этой проблематике прошла в Томске в 1965 году -впервые в мире. “GaAs-2002” проходила с 1 по 4 октября в ТГУ.
Арсенид галлия и его аналоги относятся к перспективным материалам полупроводниковой опто-, микро- и СВЧ-электроники. Неудивительно поэтому, что конференция вызвала большой интерес не только у российских, но и у зарубежных ученых и специалистов. Было заявлено более 140 докладов из России, Украины, США, Японии, Кореи, Германии, Египта. На конференции были представлены научные школы Москвы, Санкт-Петербурга, Новосибирска, Обнинска, Протвино, Зеленограда, Кемерова, Томска и ряда зарубежных научных центров.
Рабочими языками конференции были русский и английский. Хотя конференция и была заявлена как всероссийская, реально она стала международной как по составу участников, так и по представленной тематике. Число только зарегистрированных участников конференции перевалило за сто, при этом иногородних участников насчитывалось около пятидесяти.
Целью конференции являлось развитие научных и научно-технических контактов между исследователями, разработчиками, производителями и потребителями материалов и приборов на основе данных полупроводников. Ведущими специалистами, как российскими, так и зарубежными, был представлен ряд обобщающих докладов, показывающих современное состояние в разработке основных научных направлений, в освоении новых технологий в производстве новых типов приборов на основе арсенида галлия и полупроводников группы III-V. Немало интересных выступлений было по актуальным проблемам физики и технологии материалов, включая доклады, сделанные молодыми учеными из различных городов России.
Организатором конференции выступил ТГУ при поддержке академических и отраслевых институтов. Неоценимую помощь оказал академик, лауреат Нобелевской премии, давний друг сибирских физиков Ж.И. Алферов, а также академики Ю.А Осипьян и Ф.А. Кузнецов, члены-корреспонденты РАН А.Л. Асеев и И.Г. Неизвестный. Участниками заседаний, включая зарубежных ученых, отмечен высокий уровень докладов, представленных на конференции, и ее хорошая организация. По решению участников следующую конференцию также предложено организовать томичам с привлечением в оргкомитет как российских, так и иностранных ученых.

Яна МЕНДЕЛЬБАУМ



Томский Государственный УниверситетCopyright © Alma Mater; E-mail: alma@mail.tsu.ru