| последний номер | первая полоса | поиск в архиве  


№2380, 01.03.2005


Университет сделал выбор!


Перевыборы на ЭФ


Стипендию – лучшим!


Молодые ученые – лауреаты премии Госдумы


Инкубатор для молодых талантов


Симпозиум в Черноголовке


История полупроводников: томский период


О профессорах и капусте
Из воспоминаний Н.В. Кудрявцевой



Жизнь – игра, в которой нужно выигрывать


Эпоха перемен не обошла стороной и библиотечный совет


Влюбленные в «Научке»


В волейболе ты не один!


Арабская ночь, волшебный Восток... в Томске


Команда «МаксимуМ»: «Нам необходима ваша поддержка!»


Университет к встрече Победы – готов!






История полупроводников: томский период

Нобелевский лауреат Жорес Алферов как-то отметил, что в ХХ веке состоялось три основных открытия, определивших на долгие годы развитие науки и техники: искусственное деление урана, транзисторы, лазеры. Среди них наиболее значимым для человечества является появление транзистора на полупроводниках и последовавшее за этим создание и развитие микро- и оптоэлектроники – основы современной техники связи и информатики.

Томск стал первым городом за Уралом, где 50 лет назад начались научные исследования по физике и технологии полупроводников, а также подготовка специалистов в данной области.
– В каком-то смысле это произошло случайно, – вспоминает профессор кафедры физики полуп роводников ФФ Л.Г.Лаврентьева. – Просто Виктор Алексеевич Преснов, еще будучи студентом ФМФ, побывал на практике в лаборатории А.Ф.Иоффе, где и заинтересовался полупроводниками. Потом он закончил кафедру оптики ТГУ, ушел на фронт, а вернувшись, стал работать в лаборатории физики диэлектриков СФТИ. Он с удовольствием занимался прикладными вопросами, в частности – применением диэлектриков в тех или иных практических задачах. И одной такой нетривиальной задачей было получение хорошего спая диэлектрика с металлом. При решении этой задачи он снова «вышел» на полупроводники.
В 1953 году при создании РФФ кафедра диэлектриков была включена в состав радиофизического факультета и получила название кафедры полупроводников и диэлектриков. Это было время, когда после изобретения транзистора полупроводниками стали бурно заниматься во всем мире. В.А.Преснов стал инициатором организации этих работ в СФТИ, где в 1954 году была открыта лаборатория полупроводников. С самого начала им были сформулированы задачи, которые имели как фундаментальное, так и практическое значение. И это привлекло к данной тематике разных специалистов, включая теоретиков.
Вопреки общей тенденции перехода от германия к кремнию, а затем уже к более сложным полупроводникам, томские исследователи сразу перешли к арсениду галлия – новому, тогда еще совершенно неизученному и технологически очень трудному материалу. Первые эксперименты по синтезу и кристаллизации GaAs проводились в помещении под крыльцом корпуса СФТИ на площади Революции (ныне Новособорная). В 1960-е годы в Томске стали систематически проводиться всесоюзные научные конференции по арсениду галлия, в которых участвовали ведущие специалисты и ученые из разных городов страны.
Кроме синтеза и выращивания монокристаллов арсенида галлия (А.П. Изергин), в лаборатории развивались такие научные направления, как исследование электрофизических свойств (М.А.Кривов), исследование структуры (М.П.Якубеня), создание полупроводниковых приборов (А.П.Вяткин), эпитаксия арсенида галлия (Л.Г.Лаврентьева). Команда постепенно пополнялась выпускниками ТГУ, каждое направление приобретало самостоятельность. К работам по полупроводникам подключились лаборатории теоретической физики (В.А.Чалдышев), электроники (В.Н.Детинко), кафедра аналитической химии ТГУ (Г.А.Катаев), кафедра петрографии (С.А.Строителев). Таким образом, сформировался неформальный научный коллектив, ставший основой будущей научной школы.
Через некоторое время стало понятно, что практические разработки надо где-то применять, и началась организация НИИ полупроводниковых приборов.
– Это был первый пример, когда на базе ТГУ возник НИИ, относящийся к другому министерству (Минэлектрон-
пром), – говорит Людмила Германовна. – В 1964 году НИИПП был открыт. Из ТГУ и СФТИ туда перешли многие специалисты, директором стал В.А.Преснов. После этого все наши работы в институте начали быстро развиваться, потому что на них появился прямой спрос со стороны производства.
В СФТИ в 1974 году был создан отдел физики полупроводников из 7 лабораторий, объединивший специалистов по данной тематике. Совместная работа коллективов ТГУ, СФТИ и НИИПП позволила выполнить ряд важных разработок, создать приборы на основе арсенида галлия – материала, очень перспективного для СВЧ-электроники и ИК-оптики. Были освоены технологии синтеза и кристаллизации новых, более сложных полупроводников, нелинейно-оптических устройств на их основе (В.Г. Воеводин), начали проводиться разработки фотоприемников ИК-диапазона для приборов ночного видения (А.С. Петров).
90-годы принесли тяжелые испытания для двух институтов, как и для всей науки. Многие сотрудники ушли из науки, но оставшимся, в надежде на будущее, удалось сохранить наиболее важные научные направления. Этому способствовали и соответствующие кафедры РФФ и ФФ, которые не только «удержали» ведущих специалистов, но и успели подготовить новых талантливых ученых. Достаточно высокий уровень работ и имевшийся научно-технический задел позволили приспособиться к новым условиям, найти практическое применение научным результатам. Сегодня сотрудники успешно осваивают современную школу менеджмента, маркетинга и вхождения в инновационные проекты. Разработки газовых сенсоров, детекторов ионизирующего излучения, нелинейной оптики на основе полупроводников сложного состава, фотоприемников ИК-диапазона имеют большой успех и поддержаны многочисленными грантами, программами и заказчиками, среди которых исследовательские институты, предприятия и фирмы России (Томск, Новосибирск, Москва), Швейцарии, Германии, Италии, США, Индии, Сингапура, Великобритании. Определяющую роль в разработке этих приборов сыграли профессора
С.С. Хлудков, О.П.Толбанов, В.Г.Воеводин, Н.П. Криворотов, А.А. Вилисов, В.Г. Божков, А.В.Войцеховский.
Сегодня научный коллектив специалистов, работающих в ТГУ и его подразделениях, объединен в научную школу «Физика сложных полупроводниковых соединений и структур», основоположником которой был В.А.Преснов. За все годы по данному научному направлению кафедрами подготовлено около 1500 специалистов. Защищено более 130 кандидатских и 40 с лишним докторских диссертаций. В Институте физики полупроводников в Новосибирске имеется филиал кафедры физики полупроводников, где успешно ведется подготовка кадров высшей квалификации. Совместно с ИФП СО РАН и ИОМ ТФ СО РАН выполняются научные исследования по актуальным проблемам полупроводникового материаловедения и приборостроения.
18 февраля в ТГУ состоялась юбилейная научная сессия, посвященная 50-летию организации научно-образовательного направления по полупроводникам. В сессии приняли участие ведущие специалисты Томска, Новосибирска, Кемерова. Обсуждались актуальные научные направления физики и техники полупроводников, а также проблема подготовки кадров в современных условиях.

Наталья ШАРАПОВА
Фото из архива Музея истории ТГУ



Томский Государственный УниверситетCopyright © Alma Mater; E-mail: alma@mail.tsu.ru